TP65H050WSQA 采用 TO-247 封装的 650V 50m 氮化镓 AEC-Q101 Qualified GaN FET TP65H050WSQA 650V 50m 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向...

TP65H035WSQA 650V 35m AEC-Q101 Qualified GaN FET inTO-247 The TP65H035WSQA 650V 35m Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorms Gen III platform . It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low vol...

TP65H035G4WS 采用 TO-247 封装的 650V 35m 氮化镓GaN FET (SuperGaN ) Review this product TP65H035G4WS 650V 35m 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更...

型号 下载 电压/V 电流/A 电阻 封装形式 双芯 备注 G1M080120S ＝下载＝ 1200 SMD1.0...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 GW5-S12015 1200 15 ＝下载＝...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 G4S06510JT 650 10 TO-220ISO ＝下载＝...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 G3S06510J 650 10 TO-220ISO ＝下载＝...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 G3S06508J 650 8 TO-220ISO ＝下载＝...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 G3S06506J 650 6 TO-220ISO ＝下载＝...

型号 电压/V 电流/A 封装形式 下载 G3S06504J-P 650 4 TO-220ISO ＝下载＝...