TP65H035G4WS

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET (SuperGaN®)

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TP65H035G4WS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H035G4WS 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。
 

关键特性

• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (150nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素

关键益处

• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换，提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低

应用说明

AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications

Design Guides

DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files
DG001: LLC Resonant Tank Design for 3.3kW Electric Vehicle On-board Charger with Wide-range Output Voltage

Transphorm同时也提供一系列具有不同电路拓扑方案的氮化镓器件评估板




 

SPICE 模型




SPICE Model – TP65H035G4WS

 

质量报告



Qualification Report – TP65H035G4WS

 

Datasheet – TP65H035G4WS