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SGT MOS

HYG018N10NS1B6

发布日期:2023-06-04 09:28浏览次数:
 
 
 
 
Part Vds Min (V) ID@TC
=25℃(A)
RDS(on)
Max 10V(mΩ)
RDS(on)
Max 4.5V(mΩ)
PD@TC
=25℃ (W)
Vgs(±V) Vth (V) Ciss Typ
(pF)
Qg Typ
(nC)
Configuration Package Application 同类型号
HYG018N10NS1B6 100 322 1.7 N/A 375 20 2~4 12570 190 single - N TO-263-6L 锂电池保护板 IPB017N10N5-HRA529、
NCEP023N10D-1GLK1
如需规格书及样品请联系Sales@yuchengsemi.com   177722OO997
 
 
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