TP65H050WS

发布日期：2021-04-26 23:10浏览次数：

TP65H050WS

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET

TP65H050WS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H035WS 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。

关键规格
VDS (V) 最小值	650
V(TR)DSS (V) 最大值	800
RDS(on)eff（mΩ）最大值*	41
QRR (nC) 典型值	125
QG (nC) 典型值	16
*Reflects both static and dynamic on-resistance

关键特性

易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
低传导、低开关损耗
低 Qrr (125nC) – 无需任何续流二极管
GSD 引脚布局可提升高速设计
通过 JEDEC 认证的氮化镓GaN技术
符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素

关键益处

实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
快速切换，提高效率
提高功率密度
系统尺寸减小、重量减轻
BOM 成本更低

应用说明

AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications

Design Guides

DG002: 2.3kW High-efficiency 2-phase CRM Boost Converter for Solar Inverters
DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files

评价套件

Transphorm同时也提供一系列具有不同电路拓扑方案的氮化镓器件评估板。